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三星高層承認:NAND缺乏競爭力,需加倍努力

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如果您希望可以時常見面,歡迎標星收藏哦~來源:內容編譯自businesskorea ,謝謝。三星電子 NAND 開發部門負責人呼籲員工加倍努力,在未來技術上重新獲得對競爭對手的超強競爭優勢。據業內人士4月29日透露,三星電子內存業務部閃存開發室室長、負責NAND開發的Hur Sung-hoi在月中舉行的全體員工大會上向員工表示:“目前,我們的NAND產品與其他公司相比缺乏技術競爭力。” NAND是一種非易失性存儲器,即使在斷電的情況下也能保留數據。它經過加工後用於固態硬盤(SSD)等存儲設備。雖然有關三星半導體危機的討論主要集中在用於人工智能 (AI) 半導體和代工 (合同芯片製造) 的高帶寬存儲器 (HBM) 上,但現在人們開始自我批評,甚至 NAND 也可能會落後。事實上,在三星電子穩坐全球第一寶座的NAND領域,警告信號接連出現。證券分析師估計,三星電子今年第一季度NAND業務的虧損可能高達數千億韓元。去年第四季度,NAND市場份額爲33.9%,低於上年同期的36.6%。Hur Sung-hoi特別強調,四級單元(QLC)技術的競爭劣勢尤爲突出,而該技術在數據中心應用領域正日益受到關注。隨着全球大型科技公司紛紛投資數據中心,預計對基於QLC的NAND(能夠以低功耗存儲大量數據)的需求將會增加。這意味着,如果三星電子無法改進其QLC技術,未來可能會落後於競爭對手。目前,三星電子的NAND閃存主要用於智能手機和個人電腦,這些閃存基於三層單元(TLC)技術,具有良好的耐用性和低延遲性。因此,三星電子正在向TLC技術投入大量資源。許爾認爲,只關注眼前問題可能會導致錯失未來的增長引擎。三星電子內部期待Hur Sung-hoi的徹底反省能爲扭轉局面創造動力。這是因爲,儘管三星電子一直傾向於掩蓋NAND競爭力的下滑,但坦誠地分享這一事實可能會帶來整體技術發展的改變。三星電子相關人士表示,“幾年前,包括Hur Sung-hoi在內的高層管理人員對QLC技術也持否定態度,整個組織的眼光都只着眼於當前”,並補充道,“現在高層管理人員已經開始誠實地看待形勢,積極的一面是我們獲得了新的發展勢頭”。三星正在開發400多層3D NAND去年,三星表示,正在開發第九代286 層3D NAND ,並正在開發 400 層技術。據介紹,這款 1TB NAND 芯片密度爲 28GB/mm2 ,擁有 400 多層堆疊和三級單元 (3b) 格式,將成爲三星 V-NAND 技術的第十代產品。第九代芯片採用雙串堆疊,共 2 x 143 個通道,並提供 TLC 和QLC(4 位/單元)兩種格式。第九代 V-NAND 支持高達 3.2Gbps 的數據速度,而新的 400 多層堆疊技術則支持每針 5.6Gbps 的速度,速度提高了 75%。這一速度似乎既適用於 PCIe 5,也適用於速度兩倍的 PCIe 6 互連。“WF-Bonding” 指的是晶圓對晶圓的鍵合,即將兩片獨立的 NAND 晶圓(其上已製作好單元和/或電路)相互連接。這種鍵合能夠優化每片晶圓的製造工藝,從而提升可擴展性、性能和良率。生產層數最高的是SK海力士,爲321層,其次是三星,爲286層,以及美光,爲276層。西部數據和鎧俠的BiCS工藝有218層,目前正在開發300多層的BiCS第9代工藝。SK海力士的子公司Solidigm,其QLC格式的192層技術,可以說又回到了層數的黑暗時代,儘管該公司剛剛宣佈推出一款採用這種3D NAND技術的122 TB高容量SSD。我們知道一些存儲供應商一直在討論 256 TB 的驅動器,並假設這些驅動器將採用比目前更先進的層數。三星現有的 QLC BM1743 SSD 容量爲 61.44 TB,採用 176 層結構;這是其第七代 V-NAND。三星 V9 的層數爲 286,V10 的層數超過 400,使得 256 TB 甚至 512 TB 等更高容量成爲可能,同時也使智能手機、車載 ADAS 系統等使用的更高容量嵌入式 SSD 成爲可能。我們尚不清楚三星 400 多層 NAND 芯片是否會投入生產,以及何時投入生產。這將由新管理層決定。https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=241219半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4019期內容,歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID:icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦


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